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无掩膜光刻机内部光路包含光源、准直组件、调制芯片、投影物镜等多个光学元件，光束在光路传输过程中，除了参与有效曝光的主光束之外，还会产生各类杂散光。杂散光来源于光学界面的微弱反射、元件内部散射以及调制单元衍射旁瓣，这类光线不按照预设光路汇聚到目标曝光点位，会在曝光视场内形成额外的背景能量。

杂散光带来的背景能量会叠加在光刻胶表面，改变局部区域的总曝光剂量，进而干扰光刻胶的光化学反应进程。在大面积空白区域、孤立细线结构、微小孔洞图形位置，杂散光带来的剂量扰动影响会更为突出，容易出现底膜残留、孔洞收缩、线条粗细不均等成型问题。不同品牌型号设备的光路消杂光结构设计、光学镀膜方案存在差异，杂散光的强度以及空间分布特征各不相同，对应的光刻胶成型受影响程度也有明显区别。杂散光的影响具备累积特性，长时间连续曝光工况下，背景能量持续叠加，成型图形的一致性会逐步下降，是制约大视场批量直写工艺稳定性的重要因素。