无掩膜光刻机曝光图形尺寸整体收缩偏差问题

无掩膜光刻机直写加工过程中，常出现实际成型图形整体小于设计版图尺寸，细微线条、狭缝、小孔结构收缩尤为明显，同批次样品尺寸一致性差，调整曝光参数后改善效果有限，无法稳定达到工艺指标，是制约微纳结构精细化加工的常见工艺难题。

无掩膜光刻机大面积直写图形拼接错位问题

无掩膜光刻机无需物理掩模版，依靠高精度运动平台配合光学系统分场扫描完成大面积微纳图形直写，是小批量、多规格、高精度微纳加工的核心设备。

电子束光刻机加工二氧化硅、氮化硅、聚合物、玻璃等绝缘基底样品时，极易出现图形整体偏移、局部扭曲、线条拉伸变形、阵列图形错位、局部曝光缺失等故障。

电子束光刻机在微纳结构直写加工过程中，常出现阵列线条、密集孔洞、拐角结构与孤立图形尺寸偏差过大、边缘圆化、线条粘连、轮廓失真等问题。

电子束光刻机使用绝缘基底开展电子束曝光加工时，容易出现图形整体偏移、局部扭曲甚至图形残缺断线，这类问题大多由样品表面充电效应引发。

电子束光刻机在制备高密度微纳图形的工艺过程中，经常出现密集线条区域曝光过量、孤立线条曝光不足的现象，图形角部发生圆化变形，关键尺寸出现明显偏差，这就是典型的邻近效应。

电子束光刻机加工大面积图形时，多个子写场拼接位置出现台阶、线条错位，相邻写场图形无法平滑衔接，拼接处出现断线或者重叠，大面积阵列结构加工良率降低，微纳结构连续性遭到破坏。

电子束光刻机长时间连续曝光作业时，同一写场内不同位置加工线条临界尺寸出现明显差异，批次之间线宽重复性下降，即便使用相同版图与曝光剂量参数，加工得到微纳结构尺寸离散度持续变大，直接影响器件工艺一致性，增加后续检测筛选工作量。