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电子束光刻中化学放大胶的曝光后酸扩散现象，是制约高密度纳米图形边界锐利度的一类固有物理化学行为。在高能电子入射抗蚀剂层完成曝光之后，曝光区域内部会生成光酸，后续烘烤过程提供热激活条件，光酸会沿着抗蚀剂薄膜内部做横向迁移，迁移距离和烘烤温度、保温时长、抗蚀剂基体分子结构、淬灭剂含量直接相关，即便电子束本身的束斑控制、散射补偿都处于稳定状态，酸的横向扩散依然会让原本界限清晰的曝光区域向外延展，线条侧壁发生圆滑过渡，密集线栅结构中相邻线条之间的隔离区域会被扩散过来的酸持续作用，造成线宽持续偏移，线条边缘粗糙度同步抬升。这种效应和电子在衬底中的背散射带来的经典邻近效应来源不同，背散射属于能量沉积层面的空间叠加，而酸扩散属于曝光完成之后、显影之前发生的二次横向传递过程，在小周期密集图形、极薄抗蚀剂体系中表现会格外突出，不同型号的化学放大抗蚀剂本身的酸扩散系数存在明显差异，对应的图形失真程度也会拉开差距，直接影响器件结构的尺寸一致性，很多微小的线宽偏差溯源时，往往容易和电子光学的像散、束流漂移信号混淆，增加工艺结果的判断难度。