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电子束光刻机使用绝缘类基底开展电子束直写曝光时，容易出现图形位置偏移、边缘扭曲、局部线条断裂，同一写场内不同区域畸变程度不一致，套刻对位标记识别失效，无法完成大面积连续图形加工。该故障仅在绝缘基材加工场景高频出现，更换导电基底后异常现象明显减轻，不同设备的电荷中和模块性能存在差异，故障表现轻重各不相同。

电子束持续轰击绝缘样品表面，电荷无法快速导出会不断发生累积，在样品表层形成局部静电场，静电场会偏转后续入射电子束的运行轨迹，导致电子束落点偏离预设坐标，输出变形的微纳图形。样品表面导电层镀层厚度不均匀、导电层存在局部破损，会造成电荷泄放通道局部失效，形成区域性畸变。电荷中和装置参数调试不到位、中和粒子束流量不匹配曝光束流大小，不能够有效抵消表面积累的多余电荷。另外曝光扫描顺序不合理，局部区域连续大剂量曝光，短时间大量电荷堆积，也会加重图形扭曲偏移的现象。环境温湿度波动改变样品表面微弱的导电能力，同样会对充电效应带来间接影响。