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电子束光刻机在微纳图形直写加工过程中，经常出现图形实际线宽和设计数值出现偏差，密集图形与孤立图形尺寸不一致，拐角位置出现圆角膨胀，图形边缘轮廓发生形变等现象。即便曝光剂量参数保持不变，不同排布密度的结构依旧会出现尺寸差异，直接影响器件结构的成型品质，严重时会造成整体加工失效。

该现象主要来源于电子散射作用，高能电子束入射到光刻胶层内部，会发生前散射，同时电子撞击基底材料还会产生大范围的背散射电子，多余的散射能量会作用在目标图形周边区域，让非曝光位置的光刻胶也接收额外能量。密集排布的图形之间互相接收散射电子能量，整体曝光量叠加升高，线条会出现加宽；孤立结构缺少周边散射能量补给，容易出现线条偏窄。图形拐角处因为多重散射叠加，就会出现圆角膨胀的问题。

基底材质、光刻胶厚度、加速电压设置都会改变散射电子的作用范围。基底原子序数越高，背散射现象会更加明显；光刻胶涂层厚度增加，前散射影响随之放大。长时间曝光作业，环境温度波动也会间接加剧尺寸偏差。如果未做对应的补偿处理，单纯依靠调整曝光剂量很难消除这类尺寸畸变，需要结合图形分布做剂量校正，同时匹配适配的加速电压、光刻胶厚度工艺组合，降低散射带来的负面影响。