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曝光完成之后的后烘工序，是电子束光刻工艺里调控图形形貌的关键环节。在加热条件下，曝光区域内激发产生的活性组分发生迁移与扩散，推动光刻胶内部化学反应持续进行，以此固化曝光形成的潜影。烘烤温度、升温速率、恒温时长以及腔体内部气流条件，共同决定活性组分的扩散距离与反应程度。如果烘烤温度偏高，活性组分扩散范围扩大，会让潜影边界向外延展，造成线条变粗，同时加剧邻近效应带来的影响；温度过低或是保温时间不足，反应进行不充分，显影阶段容易出现残胶，图形边缘粗糙程度明显上升。升温过快还会造成胶膜内部热应力快速释放，诱发翘曲甚至微裂纹，破坏精细结构。

不同型号光刻胶对于热条件的耐受区间存在明显区别，匹配衬底导热能力差异，也会让胶膜实际受热状态产生区别。稳定可控的热环境，能够约束活性组分的无序扩散，让潜影边界清晰稳定，为后续显影获得低粗糙度、轮廓规整的微纳图形提供保障。