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无掩膜光刻机依靠 DMD 芯片海量微镜的翻转控制光路通断，实现数字图形的调制输出，微镜本身属于周期性阵列结构，光束照射到 DMD 阵列表面时会发生多级衍射，产生大量偏离主光路的杂散光，这些杂散光经过物镜内部镜片多次反射散射之后，均匀弥散在整个曝光视场内，形成基础的背景灰雾剂量。灰雾相当于给整张光刻胶叠加了一层均匀的低剂量本底曝光，会抬升光刻胶整体的感光水平，降低曝光对比度。

不同型号无掩膜光刻机的 DMD 像素周期、物镜光阑设计、内部消光结构参数性能各不相同，杂散光的强度和分布范围差异较大。当加工小尺寸孤立图形、低占空比稀疏结构时，背景灰雾带来的影响尤为突出，光刻胶的有效曝光窗口被压缩，精细图形的曝光容错空间变小，容易出现底膜残留、细线条膨胀粘连。即便主曝光区域的剂量准确匹配设计值，长时间曝光下累积的杂散光剂量依旧会缓慢改变光刻胶的溶解特性，在显影之后出现基底上一层薄胶残留，提升图形边缘的毛刺概率，制约无掩膜光刻机在超高对比度微纳图案制备上的工艺上限。